用于波分复用的双层氮化硅垂直光栅耦合器的仿真分析
  
中文关键词:双层Si3N4  垂直光栅耦合器  波分复用  仿真优化  耦合效率  
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作者单位
吉喆;李东;付士儒  
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中文摘要:
      面向波分复用技术提出了一种双层Si3N4垂直光栅耦合器结构。基于时域有限差分(FDTD)方法对该结构模型(2D)进行了仿真及优化,重点研究了双层Si3N4的宽度、厚度、位置关系以及双层Si3N4结构距离光栅的高度对耦合效率的影响。结果表明,对于1 550 nm波长的TE偏振入射光垂直入射,当光栅周期为579 nm,占空比为67.5%,加入厚度为60 nm的金属Al反射镜及双层Si3N4结构后,光栅耦合效率超过了94%。与未添加金属反射镜和双层Si3N4的垂直耦合光栅相比,耦合效率提高了约46%。
英文摘要:
      
吉喆;李东;付士儒.用于波分复用的双层氮化硅垂直光栅耦合器的仿真分析[J].石家庄铁道大学学报:自然科学版,2023,36(4):82-87-113.
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