| 用于波分复用的双层氮化硅垂直光栅耦合器的仿真分析 |
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| 中文关键词:双层Si3N4 垂直光栅耦合器 波分复用 仿真优化 耦合效率 |
| 英文关键词: |
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| 中文摘要: |
| 面向波分复用技术提出了一种双层Si3N4垂直光栅耦合器结构。基于时域有限差分(FDTD)方法对该结构模型(2D)进行了仿真及优化，重点研究了双层Si3N4的宽度、厚度、位置关系以及双层Si3N4结构距离光栅的高度对耦合效率的影响。结果表明，对于1 550 nm波长的TE偏振入射光垂直入射，当光栅周期为579 nm,占空比为67.5%,加入厚度为60 nm的金属Al反射镜及双层Si3N4结构后，光栅耦合效率超过了94%。与未添加金属反射镜和双层Si3N4的垂直耦合光栅相比，耦合效率提高了约46%。 |
| 英文摘要: |
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| 吉喆；李东；付士儒.用于波分复用的双层氮化硅垂直光栅耦合器的仿真分析[J].石家庄铁道大学学报(自然科学版),2023,36(4):82-87-113. |
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