| In-Ta共掺杂SnO2的第一性原理研究 |
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| 投稿时间：2016-08-29 |
| 中文关键词:第一性原理 SnO2 掺杂 |
| 英文关键词: |
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| 中文摘要: |
| 利用第一性原理计算In和Ta掺杂SnO2的晶体结构、电子能带和态密度。结果表明In、Ta的加入,令费米能级上移进入导带,带隙值减小,红外吸收能力增强;当In和Ta掺入量相同(12.5%或25%时),表现为绝缘体性质;当In的含量一定,Ta含量的增加会提高结构热稳定性,且表现为金属性质。 |
| 英文摘要: |
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| 秦国强,李静雅,赵茜,史凯鹏,张海军,王君.In-Ta共掺杂SnO2的第一性原理研究[J].石家庄铁道大学学报(自然科学版),2017,(4):88-91,108. |
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